Remondin Estonia010

[Tuki]

Vs: remondin estomia010

Kumbadest C1/C2 jutt üldse ?

Jutt käib 270pF kondedest.

[Starfish]

Vs: remondin estomia010

Kus seda teha soovitati ? oli link kuskil...aga palju nende mahtuvus peaks olema ?
Näiteks kui R1 (1k) peale jõuab 500mV, 15kHz siis filtri väljund C1 270pF puhul oleks 476mV,
470pF -> 471mV, 1nF -> 453mV, 10nF -> 257mV.

[Svago]

Vs: remondin estomia010

See on päris asjalik mõte, milliseid dioode katsetada võiks?

Tuleks kasutada kiireid ja vähemalt 1A vooluga. Lääne võimendite skeemides kasutatakse 1N4005..1N4007 jt.
8Ω kõlarite ja kõrgema toitepinge puhul kasutati kõrgema Uk-e transistore KT864A ja KT865A.

Защитные диоды D3 и D4 предусмотрены 1N4007, однако устанавливаются они только в случае, если в выходных транзисторах отсутствуют встроенные. В моем случае, в TIP142/147 эти диоды есть. При установке транзисторов типа 2SC5200, 2SA1943 диоды D1, D2 должны быть германиевые импульсные типа Д311 или маломощные диоды Шотки, важно, чтобы падение напряжения на прямом переходе диода было 0,25-0,3 В.

http://amplif.ru/publ/skhema_100_vattnogo_usilitelja_zvuka/1-1-0-167

http://www.next.gr/circuits/Schemati...or-l37502.html

[moi]

Vs: remondin estomia010

Kas seal mitte see probleem ei olnud et liiga suur pinge kasvukiirus (dU/dT) tappis transse kui sisendisse ühendamisel impulss tekkis, see kondeka suurendamine vähendab seda kasvukiirust. Dioodid seda probleemi ei paranda.

[Starfish]

Vs: remondin estomia010

Järsk tõus sisaldab kõrge sageduse komponenti, on loogiline küll, et sageduse ülemine piir allapoole tuua.

[Svago]

Vs: remondin estomia010

Kas seal mitte see probleem ei olnud et liiga suur pinge kasvukiirus (dU/dT) tappis transse kui sisendisse ühendamisel impulss tekkis, see kondeka suurendamine vähendab seda kasvukiirust. Dioodid seda probleemi ei paranda.

Ma katsetangi võimendeid 2 erineva sagedusega nelikantimpulssidega. Pole veel ükski võimendi tänu järsule nelinurgale rikki läinud. Probleem võib tekkida impulsi korral vastupingest induktiivkoormusel (kõlari filtrid + VH induktiivsused). Selle vastu aitab kiire ja väikese mahtuvusega diood.

Teine probleem on kõrgema toitepingega võimendil KT818GM, KT819GM ja 4 Ω kõlari kasutamine. Nende transistoride lubatud Uk-e väheneb temperatuuri tõustes 20V võrra. Samuti väheneb lubatud võimsus.

[Tuki]

Vs: remondin estomia010

Kus seda teha soovitati ? oli link kuskil...aga palju nende mahtuvus peaks olema ?
Näiteks kui R1 (1k) peale jõuab 500mV, 15kHz siis filtri väljund C1 270pF puhul oleks 476mV,
470pF -> 471mV, 1nF -> 453mV, 10nF -> 257mV.

http://www.elfafoorum.eu/threads/45239-Estonia-UM-010-lollikindlamaks/page4?highlight=l%F5ppv%F5imendi+plaadi+sisendis+kondekas

Mees Metsast ilmselt katsetas erinevaid mahtuvusi

[tiidu93]

Vs: remondin estomia010

Ka mina lugesin esimest korda sisendkonde suurendamisest Mees Metsast postitusest ja tegin kunagi samasuguse katse. Hõõgpirn võimuga jadas, võimendis 270pF konded, näpid sisendit ja pirn läheb põlema justkui võimendis tekiks lühis.
Paned 1000pF, lampi kuidagi põlema ei saa sisendit näppides.
Lõputransside kohta kas mõtekam poleks uued lääne transid panna mis andmetelt paremad? Milleks neid originaale taga ajada.

[moi]

Remondin Estonia010

Seele lambiga katsetamise juures võis tegemist olla ka võimendi genereerimisega.

Ma katsetangi võimendeid 2 erineva sagedusega nelikantimpulssidega. Pole veel ükski võimendi tänu järsule nelinurgale rikki läinud. Probleem võib tekkida impulsi korral vastupingest induktiivkoormusel (kõlari filtrid + VH induktiivsused). Selle vastu aitab kiire ja väikese mahtuvusega diood.

Ega ma täpselt ei tea kas see on Estoni 010 probleem aga põhimõtteliselt on olemas NP-siiretele selline parameeter kui maksimaalne dU/dT mida nad taluvad ilma läbilöögita.

[Svago]

Vs: Remondin Estonia010

Seele lambiga katsetamise juures võis tegemist olla ka võimendi genereerimisega.
Ega ma täpselt ei tea kas see on Estoni 010 probleem aga põhimõtteliselt on olemas NP-siiretele selline parameeter kui maksimaalne dU/dT mida nad taluvad ilma läbilöögita.

Genereerimine on võimenditel tõsiseks probleemiks. Ja dU/dt on probleemiks türistoride – sümmistoride puhul, kus nad iseenesest avanevad parameetri ületamisel. Transistoride puhul saab selle parameetri abil hinnata nende töökiirust. Kui impulsside kasvukiirus on suurem kui transistoril, tekib signaali hilistumine ja moonutus. Seda ma 2 erineva sagedusega korraga nelinurkimpulssidega uuringi – nn. dünaamiline moonutus võimendi tüüpilises kasutuses. Koormuseks on muidugi ebatüüpiliselt aktiivtakisti 4 või 8 oomi. Jäi veel mainimata ühepoolse häireimpulsi korral VH membraani ühte äärde minemine ja tagasi tulles indutseeritakse mähises magnetvälja toimel teistpidi pinge. Muidugi saab sageduskarakteristikut halvendades muuta häire kuju sisendi RC filtriga.

Kunagi KTB töötades konstrueeris kolleeg seadme, sai selle eest suure preemia ja kõrged ülemused ka - mittevahelesegamise eest. Aga tootmises tekkis millegipärast praagiisolaatorisse hunnikute viisi lõputransistore. Nagu tavaliselt ikka pidin hakkama Dirty Harryks. Uurisin skeemi ja väljundi hetkeks lühistamisel läksid kõik lõputransistorid läbi. Uurimiseks kasutasin pika järelhelendusega ossi.
Voolukaitsme rakendumisel kuumast peast tekkis väga lühiajaline max amplituudiga võnkumine. Näiteks KT818GM kannatab toatemperatuuril 100W. Aga temperatuuri suurenedes väheneb lubatud võimsus lineaarselt 15W-ni (2T transistorid on muidugi paremad). Kuna transistore ei mõõdetud töörežiimis, olid erinevused väga suured. Valmistasin siis firmale sobiva mõõtja. Katsetuste tulemusel jagasin transistorid vooluvõimenduse järgi 3 erinevasse gruppi. Iga grupp sai vastavad korrektsiooni RC elemendid (mitte sisendis). Kirjutasin reguleerijatele (tänapäeval trabled) vastava tööjuhendi ja asi oli OK. Muidugi esines tootmises probleeme harvem - tavaliselt kord kvartalipreemia maksmise ajal
Nii et kaitse võib muutuda lõputransistoride läbilaskjaks. Seepärast tuleb väljundi lühistamine juba eos välistada (igasugused karvased juhtmed ja tikuga väljundisse ühendamine ). Transistorid tuleb valida max koormuse järgi, et ei ületataks ühtegi kriitilist parameetrit temperatuuril 80°C. Ja siis kasutada ikkagi lisaks Tambovi koefitsienti. Iseehitamisel mõõdan 100% komponendid üle ja lühiskaitset ei kasuta kunagi. Näiteks KT818GM/819GM kasutades ei ole mõtet ühe õla pinget 4 oomi puhul tõsta üle 30V ja radikas peab olema vastav.
Tollal tuli palju parandada palju erinevat konstrueerimispraaki. Ühes leidsin ainult 13!!! põhimõttelist viga ja viimane viga tuli Moskvas VDNH näitusel välja. Õnneks softi oma, mis polnud minu rida

[Starfish]

Vs: Remondin Estonia010

Kui viimase astme transistoris on juba läbilöök olnud siis ega jah need dioodid enam midagi ei päästa.
Võimendi läbiv kasvu-languse kiirus peaks olema piisav, et nimivõimsusel tagada piisav pinge kasv-langus ülemisel sagedusel, kui on arvamus, et sisendaste on ikkagi liialt kiire siis selle mõttega võiks proovida suurendada C28,C31,C32,C35.

[Svago]

Vs: Remondin Estonia010

Täpsustaks eelpool kirjutatut, et voolupiiramise ja lühiskatse tekitasin võimsa reostaadiga. Kui türistor avaneb pinge suure kasvukiiruse tõttu, siis ta läbi ei lähe. Selline avanemine tekitab probleeme reguleerimisel, kui teda kasutatakse näiteks termoregulaatoris. Ise olen seda efekti kasutanud türistorsüüte korral. Ühe võnke kestus on türsorsüütel 0,3ms. Seda on liiga vähe heaks võimsuse, ökonoomsuse saavutamiseks ja aega tuleb pikendada. Kasutades antud efekti, saabki sädeme aega pikendada. Muidugi peab pingemuundur 14V/400V sellisel juhul olema võimsam.
Esimeste transistorsüüdete korral pidin aeglaste P4B tüüpi Ge transistoride kiiremaks sulgemiseks kasutama induktiivpooli. Liiga aeglasel sulgumisel soovitud kõrgepinget ei tekkinud. Kiirete Si transistoride puhul pole see vajalik.
Kui dU/dT oleks transistori läbilöögi seisukohast oluline, siis kajastuks see ka andmelehe kriitilistes parameetrites. Nelinurkimpulssidega on tegemist alates eri tüüpi lihtloogikast kuni protsessorite – kontrolleriteni. Vahel kasutatakse ahelates isegi integreerivaid RC ahelaid, kuid seda mitte läbilöögi kartuse pärast.

Teen ka arvutusnäite lõputransistori hajuvõimsuse kohta.
Oletame, et võimendi toitepinge on ±30V ja on stabiliseeritud e. koormates ei muutu.
Transistoril hajuv võimsus on 4Ω koormusel: (U/2)²/R =(30/2)²/4= 56,25W
Selline võimsus on KT818GM lubatud korpuse temperatuuril ca 60°C juures. 2T818A on lubatud ca 80°C. Kuid ka siis kasutan varukoefitsienti.

Kui lõputransistorid on läbi ja ilma nendeta on väljundis 0 paigas, ei tähenda see alati automaatselt eelpool olevate vooluvõimenduse transistoride korrasolekut.
Kõige suuremad kogemused on mul selles vallas elektronsüüdete remondist. VAZ-2108 kommutaatoris oli ka 3 vooluvõimenduse astet. Kõige ees KT342A, siis KT 630B ja lõpus liittransistor KT848A (imelikul kombel näitab enamus tollaseid katalooge teda tavalisena?). Ka seal oli enamasti läbi KT848A lõputransistor. Esimeste kommutaatorite remondil katsetasin neid lisaks isetehtud süütepooliga abinõule ka auto peal. Paar korda jäin selliselt remonditud kommutaatoriga (vahetatud ainult lõputransistor) ristmikule seisma Jootsin siis ka ülejäänud 2 transitori välja. KT630B oli testriga mõõte s nagu OK, kuid KE takistus oli uuega võrreldes väiksem. Avasin korpuse ja uurisin mikroskoobi all. Kristallil oli näha ülekuumenemise jäljed ja ühel teisel kerge läbilöögi jälg väikeses punktis. Pärast seda vahetasin alati ilma mõtlemata kõik 3 korraga. Kindluse ja hea kvaliteedi mõttes paigaldasin palju paremad ning test tüüpi 2T transistorid.

Estonial on selline „nõrgem“ lüli tavaliselt KT632 transistor, mille max Ik on väiksem võrreldes KT630-ga. Estoniaid on tulnud elus vähe remontida, põhiliselt laiatarbe K157UD2 pärast. Korra olen vahetanud ühel lõpud, kuid ka siis kindluse mõttes kõik vooluvõimenduse omad. Üks kolleeg tellis lisaks transistoridele ka algvoolu seadmise dioodid VD1..VD4 .
Muidugi saaks midagi öelda uurides rikkis transistori – algul kontrollides testriga siirdeid ja miks ka mitte mikroskoobi all. Kui teemaalgatajal on vaja transitore mõõta, siis minul pole sellega probleemi

[Svago]

Vs: Remondin Estonia010

Lõputransistoridel on antud lubatud K-E vastupinge kasvukiirus (näiteks KT8101A mitte rohkem kui 200V/µs). Vastupinge vastu kaitsebki kiire diood K-E ahelas. Osadel darlingtonidel on diood juba sees.

http://www.trzrus.narod.ru/sourse/kt8101.pdf

Transistori töö impulssrežiimis:

http://thebard.narod.ru/Elektronika/Lect1/38ImpRezh.htm

[moi]

Vs: Remondin Estonia010

Võibolla see ta oligi, väga täpselt ei mäletanud.
Kas see vastupinge kasvukiirus ongi toite all sisend juhtmete ühendamisel Estoniat tappev nähtus?

[Rom]

Vs: Remondin Estonia010

Pakun, et tappev nähtus peitub genereerima minemises. Paberil võib skeem 100% töötada, aga vale teostus võib sisse tuua omad "korrektuurid", näiteks kasvõi valesti traseeritud trükkplaat võib avaldada mõju jne... Konkreetselt minu eksemplar, mis minu silme all maha põles ei olnud vene transistoritel. Süviti uurinud pole, ilmselt ei uuri ka huvi puudumise tõttu.