Transistorid

[Lex2040]

Ma elektroonikas suht algaja, ja pole siis aru saanud, mis on n-p-n ja mis p-n-p.
Veel tahaks teada, kuidas transistoril teada saada, kus emitter, kolektor ja baas.

[v6sa]

n-p-n ja p-n-p transside erinevus seisneb nende ehituses, lugenud olen aga seletada eriti ei oska aga skeemi kokkupanekul on tähtis osa nende polaarsuse erinevus. enamasti kasutatakse p-n-p transse. eks targemad kommenteerivad. selgitada võib ehk see et diood on iseenesest p-n.

[Cheopps]

Alustuseks tasub enesele kindlasti hankida L.Abo raamatud "Raadioseadmete üksikosad", "Elektroonikakomponendid" ja "Raadiolülitused".Kasulikku infot kõigest ning neid raamatuid on alati tarvis läinud.Nendes raamatutes siis kõik puust ja punaseks värvitud...

[Mauro]

vaata ise

sellelt lingilt leiad elektroonika kohta kõike(tähtsam)
kaasa arvatud transistori ehitus(kui ei taha kõike vaadata,ots lihtsalt märksõna transistor ja leiad)

[digital]

tavaliselt kasutatakse just npn transse. eriti just suurema võimsusega transside puhul, kuna ränitransside tehnoloogia annab npn transsisid paremate omadustega, kui pnp-sid.
transis on 3 kihti. kiht on tehtud kas doonor- või aktseptorlisanditega siis kas elektron- või aukjuhtivaks. Siit siis n ja p kihid. Kihtide vahel moodustuvad siirded. keskmine kiht on baas, üks serv emitter ja teine serv kollektor. Põhimõtteliselt saab ühte transsi teatud juhtudel kasutada 2 dioodina, sest sisult ta see on. Kahte dioodi ühe transina kasutada ei saa, sest keskmise kihi paksus on oluline.
Täpsemalt loe siis kuskilt veebist või raamatutest. Näiteks:
http://www.hot.ee/las97/materials/elektroonika.pdf
http://www.ibiblio.org/kuphaldt/electricCi...emi/SEMI_4.html

[Lex2040]

Tänan kõiki

[R.I.P]

Selleks et aru saada tuleb alustada aatomitasandilt. Aatom koosneb tuumast ja elektronkihtidest, milledes tiirlevad elektronid. Sisemised elektronkihid meid ei huvita. Välimises tuumast kõige kaugemas kihis tiirlevad elektronid on tuumaga kõige nõrgemalt seotud. Need elektronid võivad moodustada sidemeid teiste kõrvalasuvate aatomitega. See tähendab et elektron kolib vahepeal üle teise aatomi "orbiidile" (muidugi tuleb seda ette kujutada 3d elektronkihina. Iga aatom saab luua kindla arvu sidemeid teistega, moodustades otsekui võre või puuri, mida kutsutaksegi kristallvõreks. Võtame levinud pooljuhtmaterjali räni (Si). Räniaatomid moodustavad stabiilse kristallstruktuuri, kus iga aatom on teistega seotud 4 sidemega (4 väliskihis asuva elektroniga). Kujuta ette struktuuri, kus aatomeid kujutavad pallikesed on omavahel seotud 4 traadiga.

 | | | | |
-A-A-A-A-A-
 | | | | |
-A-A-A-A-A-
 | | | | |

Päriselt on muidugi tegemist 3d struktuuriga, kus aatomid asuvad ruumiliselt.
Juhul kui aatomil on välises kihis rohkem elektrone, kui aatom stabiilseid sidemeid luua suudab, on tegemist nö vabade elektronidega, mis näiteks elektrivälja mõjul mööda kristallvõret kondama lähevad (näiteks läbi patarei ja materjali). Mida rohkem on mingi materjali aatomitel vabu elektrone (näiteks metallid) seda paremini need elektrit juhivad.
Puhtas ränis vabu elektrone pole, kõik on sidemetes naaberaatomitega, räni voolu ei juhi. Lisame aga ränile mingit ainet mille aatomid on nõus looma naaberaatomitega 5 sidet (kui mu mälu ei peta vist näiteks arseen). Sellisel juhul "röövitakse" naaberaatomitest elektrone, mis omakorda üritavad võtta oma naabritelt elektrone et luua stabiilset kristallvõret. Tekivad nö augud kristallvõres. Kui elektron on negatiivse laenguga, siis võime öelda, et elektroni puudumine on (või siis auk) on otsekui positiivse laenuga. Niimoodi töödeldud räni kutsutakse p, või siis transistori p-siirdeks. ka aktseptoriks, kuna selline materjal aktsepteerib välisest allikast augutäiteks tulevaid vabu elektrone.

Materjali transistori n- siirde jaoks saame siis kui viime ränisse sellist ainet, mille aatomid loovad naaberaatomitega ainult 3 sidet, ent räni aatomid üritavad luua ikka nelja sidet, aines tekib elektronide ülejääk (sidumata või siis vabad elektronid võimaldavad tekkida elektrivoolul). N-siire on niisiis negatiivne, kuna seal on negatiivse laenguga elektronide ülejääk.

Niisiis meil on materjal n ja p siirete jaoks. pannes need ränitükikesed kokku ja ühedades nende külge mingist metallist juhtmed saamegi PNP või NPN transistori.

võtame näiteks npn transitori.

Kollektor(N)  Baas(P)  emitter(N)
- - - - - - - - + + + + + + - - - - - - 
- - - - - - - - + + + + + + - - - - - - 
- - - - - - - - + + + + + + - - - - - - 

Siirete piirialadel lähevad n elementide vabad elemendid p elemendi piirialdae augutäiteks jättes oma selja taha uued augud, tekid nö "elektronbarjäär".

Kollektor(N)  Baas(P)  emitter(N)
- - - - - - - + - + + + + - + - - - - - 
- - - - - - - + - + + + + - + - - - - - 
- - - - - - - + - + + + + - + - - - - - 

Kui nüüd ühendada kollektoriga vooluallika positiivne poolus ja emitteriga vooluallika negatiivne, siis tekib juhtum, kus emitterile "pumbatakse" läbi patarei elektrone ja kollektorilt "imetakse" neid ära vooluallika positiivsele otsale, sellest tekib järgmine sündmusteahel. Kollektorilt lahkuvad elektronid tekitavad laia positiivse auguvälja, mis omakorda tõmbab emitterilt tulevaid elektrone, millede taha jääb samuti "auguväli" baasi ja emitteri vahele siirdepiirkonda tekib tugev negatiivsete laengutega tõke, mis tõrjub emitterile tulevaid uusi elektrone. Nende barjääride tõttu tekib olukord, kus transistorist vool läbi ei lähe. Emitterile tulevad elektronid täidaks küll hea meelega baasi ja emitteri vahel olevad augud ent aukude taga olevad elektronid tõukavad neid tagasi, sama lugu on ka baasiga, mille aukusid mõlemal pool barjäärides olevad elektronid samal põhjusel täita ei suuda. Tekib otsekui taskaaluolukord ning pinge tõstmine ainult tugevdab barjääre.


Kollektor(N)  Baas(P)  emitter(N)
- - - - - - -+ + - - + + - - + - - - - - 
- - - - - - -+ + - - + + - - + - - - - - 
- - - - - - -+ + - - + + - - + - - - - -

Juhul kui ühendame baasi vooluallika positiivse poolusega, tõmmatakse barjääride tagant ära elektrone, nõrgendades barjääre pääseb osa elektronidest emitterilt läbi baasi kollektorile. Asja uba on selles, et nõrgendades barjääri väheste elektronide võrra murrab läbi barjääride tunduvalt suurem hulk elektrone. Mikroamprid baasiahelas võivad esile kutsuda milliampreid emitteri-kollektori vahel jne. Sellel põhinebki transistori võimenduseffekt.

Rohkem kirjutada ei viitsi pnp toimimine jäägu koduseks ülesandeks. Kui keegi leiab vigu oleks huvitav nendest teada. Head jaanijärgset peaparandamist ja vaadake et värisevate kätega külmjooteid ei tee :P

[Mauro]

minu antud lingil on siis selgelt tehtud ka joonised,otsida vaid märksõna transistor