Vs: Soovitage odavat FET'i
S,D ja G (ning B = Bulk) käivad eranditult FET-i kohta ning
C,E ja B (Base) bipolaartransistori kohta. Samas IGBT on hübriid, mille tüürelektroodiks pais (Gate) ning jõuahela elektroodideks emitter ja kollektor.
S,D ja G (ning B = Bulk) käivad eranditult FET-i kohta ning
C,E ja B (Base) bipolaartransistori kohta. Samas IGBT on hübriid, mille tüürelektroodiks pais (Gate) ning jõuahela elektroodideks emitter ja kollektor.
Comment